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RF 场效应晶体管

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频率
  • -
  • 1.03GHz
  • 1.09GHz
  • 1.3GHz
  • 1.4GHz
  • 1.51GHz
  • 1.805GHz ~ 1.88GHz
  • 1.805GHz ~ 1.995GHz
  • 1.81GHz
  • 1.81GHz ~ 1.88GHz
  • 1.88GHz
  • 1.88GHz ~ 1.91GHz
  • 1.8MHz ~ 2GHz
  • 1.92GHz
  • 1.93GHz
  • 1.93GHz ~ 1.99GHz
  • 1.96GHz
  • 1.98GHz ~ 2.01GHz
  • 1.99GHz
  • 100MHz
  • 10GHz
  • 12GHz
  • 130MHz
  • 136MHz ~ 520MHz
  • 136MHz ~ 941MHz
  • 150MHz
  • 175MHz
  • 1805MHz ~ 1880MHZ
  • 1805MHz ~ 1995MHz
  • 1805MHz ~ 2170MHz
  • 1805MHz ~ 2690MHz
  • 1880MHz ~ 2025MHz
  • 1MHz
  • 1kHz
  • 2.03GHz
  • 2.11GHz
  • 2.11GHz ~ 2.17GHz
  • 2.14GHz
  • 2.17GHz
  • 2.39GHz
  • 2.3GHz
  • 2.3GHz ~ 2.4GHz
  • 2.45GHz
  • 2.5GHz
  • 2.62GHz
  • 2.6GHz
  • 2.7GHz
  • 2.9GHz
  • 200MHz
  • 20GHz
  • 2110MHz ~ 2170MHz
  • 220MHz
  • 225MHz
  • 2300MHz ~ 2400MHz
  • 230MHz
  • 2496MHz ~ 2690MHz
  • 2620MHz ~ 2690MHz
  • 2GHz
  • 30MHz
  • 400MHz
  • 450MHz
  • 460MHz
  • 470MHz
  • 470MHz ~ 860MHz
  • 4GHz
  • 500MHz
  • 520MHz
  • 7.2GHz ~ 9.60GHz
  • 700MHz ~ 1000MHz
  • 728MHz ~ 768MHz
  • 748MHz
  • 764MHz ~ 941MHz
  • 768MHz
  • 800MHz
  • 820MHz
  • 857MHz
  • 860MHz
  • 865MHz ~ 960MHz
  • 870MHz
  • 880MHz
  • 895MHz
  • 900MHz
  • 920MHz
  • 920MHz ~ 960MHz
  • 940MHz
  • 945MHz
  • 960MHz
  • 965MHz ~ 1.215GHz
增益
  • *
  • -
  • 10dB
  • 11.4dB
  • 11.5dB
  • 11dB
  • 12.5dB
  • 12dB
  • 13.3dB
  • 13.5dB
  • 13.9dB
  • 13dB
  • 14.1dB
  • 14.2dB
  • 14.3dB
  • 14.4dB
  • 14.5dB
  • 14.6dB
  • 14.8dB
  • 14dB
  • 15.1dB
  • 15.2dB
  • 15.3dB
  • 15.5dB
  • 15.6dB
  • 15.7dB
  • 15dB
  • 16.1dB
  • 16.3dB
  • 16.4dB
  • 16.5dB
  • 16.6dB
  • 16.7dB
  • 16.8dB
  • 16dB
  • 17.2dB
  • 17.3dB
  • 17.5dB
  • 17.6dB
  • 17.7dB
  • 17.8dB
  • 17.9dB
  • 17dB
  • 18.1dB
  • 18.2dB
  • 18.3dB
  • 18.5dB
  • 18.6dB
  • 18.8dB
  • 18.9dB
  • 18dB
  • 19.1dB
  • 19.3dB
  • 19.4db
  • 19.5dB
  • 19.7dB
  • 19.8dB
  • 19.9dB
  • 19dB
  • 20.2dB
  • 20.3dB
  • 20.4dB
  • 20.9dB
  • 20dB
  • 21.1dB
  • 21.2dB
  • 21dB
  • 22.1dB
  • 22.5dB
  • 22dB
  • 23.1dB
  • 23.5dB
  • 23.9dB
  • 24dB
  • 25.4dB
  • 25.5dB
  • 25.9dB
  • 25dB
  • 26.5dB
  • 26dB
  • 27.7dB
  • 29dB
  • 32.4dB
  • 35dB
  • 8dB
  • 9dB
电压 - 额定
  • 100V
  • 105V
  • 10V
  • 110V
  • 110VDC
  • 115V
  • 115VDC
  • 12.5V
  • 12.5VDC
  • 120V
  • 125V
  • 12V
  • 130V
  • 133V
  • 15V
  • 170V
  • 18V
  • 20V
  • 250V
  • 25V
  • 28V
  • 28VDC
  • 30V
  • 30VDC
  • 3V
  • 40V
  • 40VDC
  • 4V
  • 50V
  • 5V
  • 65V
  • 65VDC
  • 66V
  • 68V
  • 7.5V
  • 70V
  • 70VDC
  • 7V
  • 80V
电压 - 测试
  • -
  • 10V
  • 12.5V
  • 12.5VDC
  • 13.6V
  • 15V
  • 2.7V
  • 26V
  • 28V
  • 28VDC
  • 2V
  • 30V
  • 32V
  • 3V
  • 4.5V
  • 48V
  • 50V
  • 5V
  • 6V
  • 7.2V
  • 7.5V
  • 8V
电流 - 测试
  • -
  • 0.5mA
  • 1.15A
  • 1.1A
  • 1.25A
  • 1.2A
  • 1.35A
  • 1.3A
  • 1.4A
  • 1.5A
  • 1.6A
  • 1.7A
  • 1.8A
  • 1.9A
  • 100mA
  • 10mA
  • 125mA
  • 130mA
  • 132mA
  • 1400mA
  • 140mA
  • 150mA
  • 15mA
  • 160mA
  • 1A
  • 1mA
  • 2.4A
  • 2.6A
  • 200mA
  • 20mA
  • 250mA
  • 280mA
  • 2A
  • 300mA
  • 30mA
  • 320mA
  • 350mA
  • 360mA
  • 400mA
  • 40mA
  • 450mA
  • 500mA
  • 50mA
  • 550mA
  • 55mA
  • 5mA
  • 600mA
  • 60mA
  • 610mA
  • 680mA
  • 700mA
  • 70mA
  • 750mA
  • 800mA
  • 850mA
  • 860mA
  • 900mA
  • 90mA
  • 950mA
  • 970mA
额定电流
  • -
  • 1.5A
  • 100mA
  • 10mA
  • 10μA
  • 120mA
  • 12A
  • 13mA
  • 14A
  • 15mA
  • 1A
  • 1μA
  • 2.1A
  • 2.5A
  • 2.5mA
  • 20A
  • 20mA
  • 250mA
  • 250mA, 1A
  • 25mA
  • 2A
  • 30mA
  • 3A
  • 3μA
  • 40A
  • 40mA
  • 4A
  • 500mA
  • 50mA
  • 5A
  • 5mA
  • 6.5mA
  • 60mA
  • 6A
  • 70mA
  • 7A
  • 7mA
  • 88mA
  • 8A
  • 97mA
  • 9A
封装/外壳
  • *
  • 0402 (1005 Metric)
  • 0505 (1412 Metric)
  • 16-DFF, Exposed Pad
  • 16-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 24-PowerQFN
  • 4-SMD, Flat Leads
  • 4-XFBGA
  • 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 6-UFBGA
  • 8-LPCC
  • 8-PowerVDFN
  • M113
  • M174
  • M177
  • M243
  • M244
  • M250
  • NI-1230
  • NI-1230-4LS2L
  • NI-1230S
  • NI-360
  • NI-780
  • NI-780-4
  • NI-780-4S4
  • NI-780GS
  • NI-780HS-4
  • NI-780S
  • NI-780S-6
  • NI-860C3
  • NI-880
  • NI-880S
  • NI-880X-4L4S-8
  • NI-880XS
  • NI-880XS-6
  • OM-780-2
  • OM780-4
  • PLD-1.5
  • PLD-1.5W-2
  • PowerPAK? SC-75-6L
  • PowerPAK? SO-8
  • PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
  • PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
  • SC-61AA
  • SC-70, SOT-323
  • SC-75, SOT-416
  • SC-82A, SOT-343
  • SOT-1110A
  • SOT-1110B
  • SOT-143R
  • SOT-343F
  • SOT-563, SOT-666
  • TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • TO-243AA
  • TO-253-4, TO-253AA
  • TO-270-2
  • TO-270-2 Gull Wing
  • TO-270AA
  • TO-270AB
  • TO-270BB
  • TO-271AA
  • TO-272-16 Variant, Flat Leads
  • TO-272-4
  • TO-272-8
  • TO-272AA
  • TO-272BA
  • TO-272BB
系列
  • *
  • -
  • TrenchFET?
噪声系数
  • -
  • 0.35dB
  • 0.3dB
  • 0.45dB
  • 0.4dB
  • 0.5dB
  • 0.6dB
  • 0.75dB
  • 0.7dB
  • 0.81dB
  • 1.2dB
  • 1.4dB
  • 1.5dB
  • 1.7dB
  • 13.9dB @ 2GHz
  • 1dB
  • 2.5dB
  • 2dB
  • 3dB
  • 4dB
供应商器件封装
  • *
  • 10-PowerSO
  • 16-DIP
  • 16-HTSSOP
  • 3-CP
  • 4-Microfoot
  • 6-Micro Foot?
  • 79A
  • 8-LPCC (2x2)
  • CMPAK-4
  • F4TSMM, M04
  • M04
  • M113
  • M174
  • M177
  • M243
  • M244
  • M250
  • MiniPak 1412
  • NI-1230
  • NI-1230-4LS2L
  • NI-1230S
  • NI-780
  • NI-780-4
  • NI-780-4S4
  • NI-780GS
  • NI-780HS-4
  • NI-780S
  • NI-780S-6
  • NI-860C3
  • NI-880
  • NI-880S
  • NI-880X-4L4S-8
  • NI-880XS
  • NI-880XS-6
  • NI1230-8
  • NI1230S-8
  • OM-780-2
  • OM780-4
  • PLD-1.5
  • PW-MINI
  • PW-X
  • PowerFLAT? (5x5)
  • PowerPAK? SC-75-6L Single
  • PowerPAK? SO-8
  • PowerSO-10RF (Formed Lead)
  • PowerSO-10RF (Straight Lead)
  • S02
  • SC-75A
  • SC-89-6
  • SMQ
  • SOT-143B
  • SOT-143R
  • SOT-23-3 (TO-236)
  • SOT-343
  • SOT-363
  • SOT-89
  • TO-270 WB-4
  • TO-270-2
  • TO-270-2 GULL
  • TO-272 WB-16
  • TO-272 WB-4
  • TO-272-4
  • TO-272-6
  • TO-272-8 Flat Lead
  • TO-92-3
  • USM
  • USQ
匹配
  • I/O
  • Input
  • Unmatched
效率 (Typ) (%)
  • 19.9
  • 27.5
  • 31.4
  • 32
  • 32.9
  • 35.7
  • 35.8
  • 36.3
  • 37.5
  • 38.1
  • 42
  • 43.7
  • 45.1
  • 45.7
  • 45.8
  • 47.7
  • 48.5
  • 48.7
  • 50
  • 51.6
  • 57
包装
  • *
  • Tray
  • Tube
测试信号
  • 1-Tone
  • N-CDMA
  • W-CDMA
装配类型
  • *
  • Surface Mount
  • Through Hole
FET 类型
  • 2 N-Channel (Dual)
  • MOSFET N-Channel, Metal Oxide
  • MOSFET P-Channel, Metal Oxide
  • N and P-Channel Complementary
FET 功能
  • Logic Level Gate
漏源极电压 (Vdss)
  • 100V
  • 12V
  • 20V
  • 60V
  • 8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 1V @ 250μA
  • 2.5V @ 250μA
  • 2.8V @ 250μA
  • 700mV @ 250μA
  • 720mV @ 250μA
  • 900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
  • *
  • 10nC @ 4.5V
  • 12nC @ 10V
  • 15nC @ 4.5V
  • 15nC @ 8V
  • 18nC @ 8V
  • 2nC @ 4.5V
  • 33nC @ 8V
  • 49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
  • -
  • 1630pF @ 50V
  • 43pF @ 10V
  • 470pF @ 25V
  • 630pF @ 10V
功率 - 最大值
  • 1.6W
  • 2.5W
  • 220mW
  • 240mW
  • 4W
  • 500mW
  • 5W
  • 780mW
电源电压
  • 28 V
  • 30V
  • 60V
热阻 (Spec)(°C/W)
  • 0.22
  • 0.23
  • 0.5
操作温度
  • -55°C ~ 125°C
  • -55°C ~ 150°C
  • -55°C ~ 175°C
功能
  • Multiplexer
  • Power MOSFET
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • *
  • 10.8 mOhm @ 20A, 10V
  • 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
最大供电电流
  • 129A
  • 46A
  • 78A
电路
  • 2 x 4:1
电流 - 电源
  • 75μA
电压源
  • Dual Supply
导通电阻
  • 90 Ohm
电压 - 电源,单/双 (±)
  • ±5 V ~ 20 V

MRF8S21140HSR3

FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S

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MRF8S9202NR3

MOSFET RF N-CH 58W OM780-2

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MRF8S9260HR3

FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880H

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VMMK-1218-BLKG

AMP RFIC LNA E-PHEMT 18GHZ 0402

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ATF-33143-BLKG

SOT-343 GAAS TRANSISTOR LOW NOISE

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FDMC86262PCN

P-Channel PowerTrench MOSFET

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BF2040RE6814

MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143R

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BF 2040W H6814

MOSFET N-CH 8V 40MA SOT343

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PTFA220121MV4XUMA1

FET RF LDMOS 10W SON10

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NE3509M04-A

AMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI

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NE3510M04-A

HJ-FET N-CH 4GHZ M04

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NE5531079A-A

FET RF LDMOS 460MHZ 30V 79A

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SI1441EDH-T1-GE3

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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亚洲A 9,000 6~9个工作日 3000 3000
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SI1424EDH-T1-GE3

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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SI4463CDY-T1-GE3

P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET

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SIB410DK-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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SIR818DP-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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SIR872DP-T1-GE3

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

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SQ2310ES-T1-GE3

Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET

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2SK3737-5-TL-E

MOSFET N-CH 15V 30MA 3MCP

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BSS83,215

MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B

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MRF8P9300HSR5

Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960 MHz, 100 W Avg., 28 V

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MRF8S23120HR5

LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2300-2400 MHz, 28 W Avg., 28 V

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MRF6V2010GNR1

Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 10 W, 50 V

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A2T18S260-12SR3

PROTOTYPE

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